类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 250 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 75.0 V |
额定电流 | 600 mA |
封装 | TO-39 |
额定功率 | 800 mW |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 800 mW |
集电极击穿电压 | 75.0 V |
击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 10V |
额定功率(Max) | 800 mW |
直流电流增益(hFE) | 300 |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 800 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Bag |
材质 | Silicon |
工作温度 | -65℃ ~ 175℃ |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 250MHz 通孔 TO-39
ST Microelectronics(意法半导体)
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