类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-18 |
击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
最小电流放大倍数 | 40 @150mA, 10V |
额定功率(Max) | 1.2 W |
耗散功率(Max) | 1.2 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
工作温度 | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
Central Semiconductor
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