类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
频率 | 250 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 75.0 V |
额定电流 | 600 mA |
封装 | TO-18-3 |
额定功率 | 500 mW |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 500 mW |
集电极击穿电压 | 75.0 V |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 10V |
最大电流放大倍数 | 300 |
额定功率(Max) | 500 mW |
直流电流增益(hFE) | 300 |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 500 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Bulk |
材质 | Silicon |
长度 | 5.8 mm |
宽度 | 5.8 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | 175℃ (TJ) |
STMicroelectronics公司的2N2222A是一个通孔安装NPN硅外延平面晶体管, TO-18封装. 此晶体管设计为高速开关, 具有低漏电流, 低饱和电压功能, 并可在集电极电流的宽范围内获取有用的电流增益. 典型适用于高速开关应用.
● 集电极至发射极电压(Vce): 40V
● 集电极电流(Ic): 0.6A
● 功耗: 1.8W
● 集电极到发射极饱和电压: 300mV, 50mA集电极电流
● 0.1mA集电极电流 DC电流增益(hFE): 35
● 工作结温范围:自175°C
ST Microelectronics(意法半导体)
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Multicomp
MULTICOMP 2N2222 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 500 mW, 800 mA, 100 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
高速交换机 HIGH-SPEED SWITCHES
National Semiconductor(美国国家半导体)
Micro Commercial Components(美微科)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN小信号的通用放大器 NPN Small Signal General Purpose Amplifiers
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