| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -600 mA |
| 封装 | TO-5-3 |
| 额定功率 | 800 mW |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 600 mW |
| 增益频宽积 | 200 MHz |
| 集电极击穿电压 | -60.0 V (min) |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 10V |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
| 额定功率(Max) | 600 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 50 |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 600 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 9.4 mm |
| 宽度 | 9.4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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Microsemi（美高森美）
PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
Multicomp
MULTICOMP 2N2905 单晶体管 双极, 高速开关, PNP, 40 V, 200 MHz, 3 W, 600 mA, 100 hFE
ST Microelectronics（意法半导体）
一般通用放大器和开关 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES
NXP（恩智浦）
PNP开关晶体管 PNP switching transistors
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