Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Microsemi（美高森美） > 2N3019 Datasheet 文档
2N3019
来自 AiPCBA

2N3019 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-5-3
描述:低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
PDF文件:2N3019 数据手册 (6 页)封装尺寸在2 页6 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
2N3019 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

2N3019 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-5-3
功耗0.8 W
击穿电压(集电极-发射极)80 V
最小电流放大倍数50 @500mA, 10V
最大电流放大倍数300
额定功率(Max)800 mW
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)800 mW
查看数据手册 >

2N3019 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
材质Silicon
工作温度-65℃ ~ 200℃ (TJ)
查看数据手册 >

2N3019 数据手册

2N3019 数据手册
Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.26 MByte
2N3019 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
8 页 / 0.26 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet