| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 1 MHz |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 15.0 A |
| 封装 | TO-3 |
| 额定功率 | 115 W |
| 针脚数 | 2 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 115 W |
| 集电极击穿电压 | 100 V |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 20 @4A, 4V |
| 最大电流放大倍数 | 70 |
| 额定功率(Max) | 115 W |
| 直流电流增益(hFE) | 70 |
| 工作温度(Max) | 200 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 115000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tray |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 39.5 mm |
| 宽度 | 26.2 mm |
| 高度 | 8.7 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 200℃ |
STMicroelectronics公司的2N3055是一个通孔安装互补功率晶体管, TO-3封装. 此设备以平面技术生产, 有着基岛式"base island"陈列, 适合功率线性和开关应用.
● 集电极到发射极电压(Vce): 70V, 100 ohm RBE
● 集电极电流(Ic): 15A
● 功耗: 115W
● 集电极到发射极饱和电压: 3V, 10A集电极电流
● 直流电流增益(hFE): 5, 10A集电极电流
● 工作结温范围:自200°C
ST Microelectronics（意法半导体）
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