| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 15.0 A |
| 封装 | TO-204 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 集电极最大允许电流 | 15A |
| 最小电流放大倍数 | 20 @4A, 4V |
| 额定功率(Max) | 115 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 15 A 2.5MHz 115 W 通孔 TO-204（TO-3）
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS 2N3055 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 115 W, 15 A, 70 hFE
ON Semiconductor（安森美）
互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
Multicomp
MULTICOMP 2N3055 单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 800 kHz, 115 W, 15 A, 5 hFE
Microsemi（美高森美）
NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
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