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2N3771
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2N3771 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-3
描述:高功率NPN硅晶体管 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR
PDF文件:2N3771 数据手册 (4 页)原理图在1 页
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焊盘图
引脚图
产品图
2N3771 数据手册 (4 页)
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2N3771 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率0.2 MHz
引脚数2 Pin
额定电压(DC)40.0 V
额定电流30.0 A
封装TO-3
额定功率150 W
极性NPN
功耗150 W
击穿电压(集电极-发射极)40 V
最小电流放大倍数15 @15A, 4V
最大电流放大倍数60
额定功率(Max)150 W
直流电流增益(hFE)60
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)150000 mW
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2N3771 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
材质Silicon
长度39.5 mm
宽度26.2 mm
高度8.7 mm
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2N3771 数据手册

2N3771 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.04 MByte
2N3771 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
2 页 / 0.01 MByte
2N3771 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.16 MByte
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