类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 300 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-92-3 |
针脚数 | 3 Position |
功耗 | 625 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
最小电流放大倍数 | 100 @10mA, 1V |
额定功率(Max) | 625 mW |
直流电流增益(hFE) | 100 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)
Multicomp
MULTICOMP 2N3904 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 200 mA, 300 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
小信号NPN晶体管 SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
Central Semiconductor
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N3904 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 625 mW, 200 mA, 100 hFE
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