| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-18-3 |
| 功耗 | 0.5 W |
| 增益频宽积 | 150 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @100mA, 5V |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 工作温度(Max) | 200 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bag |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
Microsemi（美高森美）
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