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2N4123RLRM
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2N4123RLRM 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-226-3
描述:通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
PDF文件:2N4123RLRM 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
引脚图
产品图
2N4123RLRM 数据手册 (7 页)
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2N4123RLRM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流200 mA
封装TO-226-3
功耗625 mW
增益频宽积250 MHz
击穿电压(集电极-发射极)30 V
最小电流放大倍数50 @2mA, 1V
额定功率(Max)625 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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2N4123RLRM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Box
长度5.2 mm
宽度4.19 mm
高度5.33 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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2N4123RLRM 数据手册

2N4123RLRM 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.11 MByte
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