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2N4391
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2N4391 数据手册 - Central Semiconductor

制造商:Central Semiconductor
分类:晶体管
封装:TO-18
描述:2N 系列 40 V 150 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
PDF文件:2N4391 数据手册 (4 页)封装尺寸在2 页4 页
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焊盘图
引脚图
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2N4391 数据手册 (4 页)
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2N4391 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-18
漏源极电阻30 Ω
极性N-Channel
功耗1.8 W
漏源极电压(Vds)40.0 V
栅源击穿电压40.0 V
连续漏极电流(Ids)100 pA
击穿电压40 V
输入电容值(Ciss)14pF @20V(Vds)
额定功率(Max)1.8 W
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2N4391 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度-65℃ ~ 175℃ (TJ)
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2N4391 数据手册

2N4391 数据手册
Central Semiconductor
4 页 / 0.45 MByte
2N4391 其他数据使用手册
Central Semiconductor
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