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2N5089G
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2N5089G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-226-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N5089G  射频双极晶体管
PDF文件:2N5089G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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焊盘图
引脚图
产品图
2N5089G 数据手册 (5 页)
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2N5089G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率50 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)25.0 V
额定电流50.0 mA
封装TO-226-3
针脚数3 Position
极性NPN
功耗625 mW
击穿电压(集电极-发射极)25 V
集电极最大允许电流0.05A
最小电流放大倍数400 @100µA, 5V
额定功率(Max)625 mW
直流电流增益(hFE)50
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)625 mW
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2N5089G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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2N5089G 数据手册

2N5089G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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