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2N5191
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2N5191 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-126-3
描述:中功率NPN硅晶体管 MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS
PDF文件:2N5191 数据手册 (9 页)封装尺寸在6 页7 页
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焊盘图
引脚图
产品图
2N5191 数据手册 (9 页)
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2N5191 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率2 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流4.00 A
封装TO-126-3
极性NPN
功耗40 W
集电极击穿电压60.0 V
击穿电压(集电极-发射极)60 V
最小电流放大倍数25 @1.5A, 2V
最大电流放大倍数100
额定功率(Max)40 W
直流电流增益(hFE)25
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)65 ℃
耗散功率(Max)40000 mW
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2N5191 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
材质Silicon
长度7.8 mm
宽度2.7 mm
高度10.8 mm
工作温度150℃ (TJ)
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2N5191 数据手册

2N5191 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.22 MByte
2N5191 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.04 MByte
2N5191 其他参考文件
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1 页 / 0.16 MByte
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