| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 100 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -150 V |
| 额定电流 | -600 mA |
| 封装 | TO-226-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 625 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 150 V |
| 热阻 | 83.3℃/W (RθJC) |
| 集电极最大允许电流 | 0.6A |
| 最小电流放大倍数 | 60 @10mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Box |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
小信号 PNP 晶体管，ON Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
ST Microelectronics（意法半导体）
Multicomp
MULTICOMP 2N5401 单晶体管 双极, PNP, 150 V, 0.625 W, 600 mA, 50 hFE
NXP（恩智浦）
PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier
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