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2N5401RL1G
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2N5401RL1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-226-3
描述:放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
PDF文件:2N5401RL1G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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2N5401RL1G 数据手册 (5 页)
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2N5401RL1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)-150 V
额定电流-600 mA
封装TO-226-3
极性PNP
击穿电压(集电极-发射极)150 V
集电极最大允许电流0.6A
最小电流放大倍数60 @10mA, 5V
额定功率(Max)625 mW
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2N5401RL1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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2N5401RL1G 数据手册

2N5401RL1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.08 MByte
2N5401RL1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.21 MByte
2N5401RL1G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.05 MByte
2N5401RL1G 开发手册
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