类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -150 V |
额定电流 | -600 mA |
封装 | TO-226-3 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 150 V |
集电极最大允许电流 | 0.6A |
最小电流放大倍数 | 60 @10mA, 5V |
额定功率(Max) | 625 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
材质 | Silicon |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 300MHz 通孔 TO-92(TO-226)
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
ST Microelectronics(意法半导体)
Multicomp
MULTICOMP 2N5401 单晶体管 双极, PNP, 150 V, 0.625 W, 600 mA, 50 hFE
NXP(恩智浦)
PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier
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