Datasheet 搜索 > JFET晶体管 > ON Semiconductor（安森美） > 2N5461RLRAG Datasheet 文档
2N5461RLRAG
来自 AiPCBA

2N5461RLRAG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:JFET晶体管
封装:TO-226-3
描述:JFET放大器P沟道 - 耗尽 JFET Amplifier P−Channel − Depletion
PDF文件:2N5461RLRAG 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
2N5461RLRAG 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

2N5461RLRAG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-40.0 V
额定电流-10.0 mA
封装TO-226-3
极性P-Channel
功耗350 mW
输入电容7.00 pF
漏源极电压(Vds)40.0 V
栅源击穿电压40.0 V
击穿电压40 V
输入电容值(Ciss)7pF @15V(Vds)
额定功率(Max)350 mW
工作温度(Max)135 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)350 mW
查看数据手册 >

2N5461RLRAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
高度5.33 mm
工作温度-65℃ ~ 135℃ (TJ)
查看数据手册 >

2N5461RLRAG 数据手册

2N5461RLRAG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.05 MByte
2N5461RLRAG 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.12 MByte

2N5461 数据手册

2N5461 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
JFET放大器P沟道 - 耗尽 JFET Amplifier P−Channel − Depletion
2N5461 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道通用放大器 P-Channel General Purpose Amplifier
2N5461 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
2N5461 数据手册
Vishay Siliconix
2N5461 数据手册
VISHAY（威世）
2N5461 数据手册
National Semiconductor（美国国家半导体）
2N5461 数据手册
Intersil（英特矽尔）
N沟道JFET N-CHANNEL JFET
2N5461 数据手册
Central Semiconductor
2N5461 数据手册
TI（德州仪器）
2N5461 数据手册
InterFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: 2N5461 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet