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2N5550TAR
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2N5550TAR 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-92-3
描述:2N5550T: 小信号 NPN 双极晶体管
PDF文件:2N5550TAR 数据手册 (10 页)封装尺寸在1 页
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焊盘图
引脚图
产品图
2N5550TAR 数据手册 (10 页)
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2N5550TAR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率300 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-92-3
功耗0.625 W
击穿电压(集电极-发射极)140 V
最小电流放大倍数60 @10mA, 5V
额定功率(Max)625 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)625 mW
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2N5550TAR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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2N5550TAR 数据手册

2N5550TAR 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.09 MByte
2N5550TAR 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 1.2 MByte
2N5550TAR 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.05 MByte
2N5550TAR 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
13 页 / 0.34 MByte

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