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2N5886G
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2N5886G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-204-2
描述:NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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2N5886G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率4 MHz
引脚数2 Pin
额定电压(DC)80.0 V
额定电流25.0 A
封装TO-204-2
额定功率200 W
针脚数2 Position
极性NPN
功耗200 W
击穿电压(集电极-发射极)80 V
热阻0.875℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流25A
最小电流放大倍数20 @10A, 4V
最大电流放大倍数100
额定功率(Max)200 W
直流电流增益(hFE)4
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)200000 mW
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2N5886G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
材质Silicon
长度39.37 mm
宽度26.67 mm
高度8.51 mm
工作温度-65℃ ~ 200℃
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2N5886G 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）
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