| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -80.0 V |
| 额定电流 | -4.00 A |
| 封装 | TO-225-3 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 40 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 4A |
| 最小电流放大倍数 | 750 @2A, 3V |
| 最大电流放大倍数 | 15000 |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 直流电流增益(hFE) | 15 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 7.74 mm |
| 宽度 | 2.66 mm |
| 高度 | 11.04 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP - 达林顿 - 通孔 TO-225AA
ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS 2N6036 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
ON Semiconductor（安森美）
塑料达林顿互补硅功率晶体管 Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Micro Commercial Components（美微科）
National Semiconductor（美国国家半导体）
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