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2N6059
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2N6059 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-3
描述:硅NPN功率达林顿晶体管 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR
PDF文件:2N6059 数据手册 (4 页)原理图在1 页
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2N6059 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流12.0 A
封装TO-3
额定功率150 W
极性NPN
功耗150000 mW
击穿电压(集电极-发射极)100 V
最小电流放大倍数750 @6A, 3V
额定功率(Max)150 W
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
增益带宽4MHz (Min)
耗散功率(Max)150000 mW
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2N6059 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Bag
工作温度200℃ (TJ)
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2N6059 数据手册

2N6059 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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