| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | TO-226-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 625 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 20000 @100mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 40 V 500 mA - 625 mW 通孔 TO-92-3
ON Semiconductor（安森美）
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达林顿晶体管（ NPN硅） Darlington Transistors(NPN Silicon)
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