| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-92-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 1.5 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 350 V |
| 最小电流放大倍数 | 20 @50mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 15 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bag |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 4.58 mm |
| 宽度 | 3.86 mm |
| 高度 | 4.58 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
高电压 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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高电压晶体管 High Voltage Transistors
CJ（长电科技）
三极管(晶体管) 2N6517 TO-92 30-200
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Central Semiconductor
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
Micro Commercial Components（美微科）
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