| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 350 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | TO-226-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 625 mW |
| 增益频宽积 | 200 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 350 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 30 |
| 最大电流放大倍数 | 200 |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 4.58 mm |
| 宽度 | 3.86 mm |
| 高度 | 4.58 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor（安森美）
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三极管(晶体管) 2N6517 TO-92 30-200
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NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Central Semiconductor
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
Micro Commercial Components（美微科）
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