类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 350 V |
额定电流 | 500 mA |
封装 | TO-226-3 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 350 V |
集电极最大允许电流 | 0.5A |
最小电流放大倍数 | 20 @50mA, 10V |
额定功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 350 V 500 mA 200MHz 625 mW 通孔 TO-92(TO-226)
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高电压晶体管 High Voltage Transistors
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) 2N6517 TO-92 30-200
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NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Central Semiconductor
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
Micro Commercial Components(美微科)
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