| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 350 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | TO-226-3 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 350 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 20 @50mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 200MHz 通孔 TO-92（TO-226）
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高电压晶体管 High Voltage Transistors
CJ（长电科技）
三极管(晶体管) 2N6517 TO-92 30-200
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Central Semiconductor
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
Micro Commercial Components（美微科）
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