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2N7000
来自 AiPCBA

2N7000 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-92-3
描述:小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92
PDF文件:2N7000 数据手册 (4 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在4 页
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2N7000 数据手册 (4 页)
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2N7000 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-92-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻5 Ω
功耗350 mW
阈值电压2.1 V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
输入电容值(Ciss)20pF @25V(Vds)
额定功率(Max)400 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)400 mW
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2N7000 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bag
长度5.2 mm
宽度4.19 mm
高度5.33 mm
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2N7000 数据手册

2N7000 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.09 MByte
2N7000 产品设计参考手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.45 MByte
2N7000 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
17 页 / 2.07 MByte
2N7000 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.05 MByte
2N7000 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
19 页 / 1.07 MByte
2N7000 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.45 MByte
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