类型 | 描述 |
---|
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-226-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 5 Ω |
功耗 | 400 mW |
阈值电压 | 3.9 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
上升时间 | 10 ns |
输入电容值(Ciss) | 50pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 400 mW |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 400 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
通孔 N 通道 60 V 200mA(Tc) 400mW(Ta) TO-92-3
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.01 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.5 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 200毫安, 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 2.1 V
National Semiconductor(美国国家半导体)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件