| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-92-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 5 Ω |
| 功耗 | 400 mW |
| 阈值电压 | 2.1 V |
| 输入电容 | 20 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 输入电容值(Ciss) | 20pF @25V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7000_D26Z, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000_D26Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor（安森美）
2N7000 系列 60V 5 Ohms N 沟道 增强模式 场效应晶体管-TO-92
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