类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-92-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 5 Ω |
功耗 | 1 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 60 pF |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
输入电容值(Ciss) | 60pF @25V(Vds) |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Bag |
材质 | Silicon |
长度 | 5.21 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 60 V 200mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 200毫安, 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 2.1 V
National Semiconductor(美国国家半导体)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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