| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-92-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 5 Ω |
| 功耗 | 400 mW |
| 阈值电压 | 3.9 V |
| 输入电容 | 20 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 30pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 400 mW |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor（安森美）
12 页 / 0.42 MByte
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.5 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 2.1 V
National Semiconductor（美国国家半导体）
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
