类型 | 描述 |
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封装 | SOT-23-3 |
耗散功率(Max) | 200 mW |
类型 | 描述 |
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长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 1.2 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 115mA/0.115A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 1.2Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage | 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET Suitable for logic level gate drive sources Very fast switching Surface-mounted package Trench MOSFET technology 描述与应用 | 表面贴装 N沟道增强型场效应晶体管 特性 60 V,300毫安N通道沟道MOSFET 适用于逻辑电平栅极驱动源 开关速度非常快 表面贴装封装 沟道MOSFET技术
Panjit(强茂)
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