| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 115 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 7.50 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 370mW (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 70.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 115 mA |
| 上升时间 | 3 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 下降时间 | 5.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 540 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V
●\---|---
●最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V
●最大漏极电流Id Drain Current | 115mA/0.115A
●源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 3.2Ω/Ohm @50mA,10V
●开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1-2.5V
●耗散功率Pd Power Dissipation | 300mW/0.3W
●Description & Applications | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free/RoHS Compliant Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
●描述与应用 | N沟道增强型场效应晶体管 特性 N沟道增强型场效应晶体管 低导通电阻RDS（ON） 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快 低输入/输出漏 无铅/ RoHS标准 合格的AEC-Q101高可靠性标准
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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