| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SC-70-6 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 1.6 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 200 mW |
| 阈值电压 | 1.76 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 115 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 115mA/0.115A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 2.53Ω@ VGS = 10V,ID = 0.5A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1~2V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant 描述与应用| N沟道增强型场效应晶体管 特点 •双N沟道MOSFET •低导通电阻 •低栅极阈值电压 •低输入电容 •开关速度快 •低输入/输出漏 •超小型表面贴装封装 •无铅/ RoHS标准
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor（安森美）
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS 2N7002 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 60 V, 1.8 ohm, 10 V, 2.1 V
NXP（恩智浦）
2N7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 12W 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关
Panjit（强茂）
2n7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 S72 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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