| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.86 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 420 mW |
| 阈值电压 | 1 V |
| 输入电容 | 26.7 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 310 mA |
| 上升时间 | 1.2 ns |
| 正向电压(Max) | 1.2 V |
| 输入电容值(Ciss) | 26.7pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
2N7002ET1G是一款N沟道小信号MOSFET, 采用Trench技术, 具有低漏极-源极电压. 适用于低压侧负载开关, 电平转换电路.
● 1.2A脉冲漏电流
● ±20V栅-源电压
● 无卤素
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Vishay Siliconix
2N7002E-T1 N沟道MOSFET 60V 240mA/0.24A SOT-23/SC-59 marking/标记 7ES 低漏源导通电阻
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY 2N7002E-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷
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N沟道60 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
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