| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 115 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.225 W |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 7.5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 mW |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 115 mA |
| 正向电压(Max) | 1.5 V |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 225mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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Micro Commercial Components（美微科）
National Semiconductor（美国国家半导体）
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
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