2N7008-G 数据手册 - Microchip（微芯）

制造商:	Microchip（微芯）
分类:	MOS管
封装:	TO-92-3
描述:	2N7008 N 通道 MOSFET 晶体管Microchip 2N7008 是增强模式（常闭）晶体管，利用垂直 DMOS 结构。该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。### 特点无次级击穿低电源驱动要求易于执行并联操作低 CISS 和快速切换速度极好的热稳定性一体式电源漏极二极管高输入阻抗和高增益 ### MOSFET 晶体管，Microchip
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2N7008-G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-92-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	7.5 Ω
功耗	1 W
阈值电压	2.5 V
漏源极电压(Vds)	60 V
输入电容值(Ciss)	50pF @25V(Vds)
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	1W (Tc)

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2N7008-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Bag
材质	Silicon
长度	5.08 mm
宽度	0.16 in
高度	5.33 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N7008-G 符合标准

2N7008-G 概述

2N7008-G 数据手册

Microchip（微芯）

3 页 / 0.54 MByte

2N7008-G 其他数据使用手册

Microchip（微芯）

6 页 / 0.13 MByte

2N7008-G 产品修订记录

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3 页 / 0.5 MByte

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