| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.15A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −150mA/-0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 270~560 @-6V，-0.001A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP general-purpose transistor • General-purpose switching and amplification • PNP transistor in a SOT323 (SC-70) plastic package. The NPN complement is 2PC4081. • Low current (max. 150 mA) • Low voltage (max. 50 V) • Low collector capacitance (typ. 2.5 pF) 描述与应用| PNP通用晶体管 •通用开关和放大 •PNP晶体管在SOT323（SC-70）塑料包装。 NPN补充2PC4081。 •低电流（最大150毫安） •低电压（最大50 V） •低集电极电容（典型值2.5 pF的）
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