| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 120MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 210~340 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation | 250mW/0.25W Description & Applications | NPN general purpose transistor FEATURES • High current • Low voltage APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用 | NPN通用晶体管 特点 •高电流 •低电压 应用 •通用开关和放大。
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
小信号 NPN 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
NXP（恩智浦）
NXP 2PD601ART 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 90 hFE
Nexperia（安世）
2PD601ARL 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-23-3
NXP（恩智浦）
2PD601AR NPN三极管 60V 100mA/0.1A 120MHz 210~340 500mV/0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 ZR 开关 放大器应用
Nexperia（安世）
Nexperia 2PD601BRL,215 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=50 V, HFE:210, 3引脚 SOT-23封装
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NXP 2PD601ART,215 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 90 hFE
NXP（恩智浦）
NXP 2PD601BRL,215 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 250 mW, 200 mA, 210 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 250 mW, 200 mA, 290 hFE
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2PD601ARL 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-23-3
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2PD601AS NPN三极管 60V 100mA/0.1A 140MHz 290~460 500mV/0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 ZS 开关 放大器应用
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