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2SA1020G
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2SA1020G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-226-3
描述:一瓦高电流PNP晶体管电压和电流负PNP晶体管 One Watt High Current PNP Transistor VOLTAGE AND CURRENT ARE NEGATIVE FOR PNP TRANSISTORS
PDF文件:2SA1020G 数据手册 (5 页)
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2SA1020G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)-50.0 V
额定电流-2.00 A
封装TO-226-3
极性PNP
功耗0.9 W
增益频宽积100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)50 V
集电极最大允许电流2A
最小电流放大倍数70 @500mA, 2V
额定功率(Max)900 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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2SA1020G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Bulk
长度5.21 mm
宽度4.19 mm
高度7.87 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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2SA1020G 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）
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