类型 | 描述 |
---|
封装 | S-Mini |
耗散功率(Max) | 150 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −150mA/-0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 70~400 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -100mV/-0.1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) • High voltage and high current: VCEO = −50 V, IC = −150 mA (max) • Excellent hFE linearity: hFE (IC = −0.1 mA)/hFE (IC = −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE = 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) • Complementary to 2SC2712 • Small package APPLICATIONS • Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 描述与应用| 音频通用放大器应用 特点 •TOSHIBA晶体管的硅PNP外延式(PCT的进程) •高电压和高电流:VCEO=-50 V,IC= -150 mA(最大) •优秀HFE线性:HFE(IC= -0.1毫安)/ HFE(IC=-2毫安)=0.95(典型值) •高HFE:HFE=70〜400 •低噪音:NF=1分贝(典型值),10分贝(最大) •互补2SC2712 •小型封装 应用 •音频通用放大器应用
Toshiba(东芝)
3 页 / 0.16 MByte
Toshiba(东芝)
6 页 / 0.04 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件