2SA1163 数据手册 - Toshiba（东芝）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | -120V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications | audio frequency general purpose amplifier applications Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) • High voltage ： VCEO = −120 V • Excellent hFE linearity: hFE (IC = −0.1 mA)/hFE (IC = −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE = 200~700 • Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) • Complementary to 2SC2713 • Small package APPLICATIONS • Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 描述与应用 | 音频通用放大器应用 特点 •TOSHIBA晶体管的硅PNP外延式（PCT的进程） •高电压VCEO=-120V •优秀HFE线性：HFE（IC= -0.1毫安）/ HFE（IC=-2毫安）=0.95（典型值） •高HFE：HFE= 200〜700 •低噪音：NF=1分贝（典型值），10分贝（最大） •互补2SC2713 •小型封装 应用 •音频通用放大器应用