2SA1226 数据手册 - NEC（日本电气）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -30mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 400MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40~80 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -90mV 耗散功率PcPoWer Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | High frequency amplifier PNP silicon epitaxial transistor mini mold high gain bandwidth product fT =400 MHz； low output capacitance ； low noise 描述与应用 | 高频放大器 PNP硅外延晶体管 小型模具 高增益带宽乘积fT=400兆赫; 低输出电容; 低噪音