| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-89 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 10 V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| -10V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 140MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300~600 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −200mV/-0.2V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Transistor silicon PNP epitaxial type audio power applications； strobe flash applications； high DC current gain and excellent linearity； low saturation voltage； 描述与应用| 晶体硅外延型PNP 音频功率应用; 闪光灯的应用; 高直流增益，出色的线性度; 低饱和电压
Toshiba（东芝）
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