集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 510MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 150~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -100mV/-0.1V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | High frequency amplifier and switching PNP silicon epitaxial transistor mini mold high speed switching； high gain bandwidth product； complementary to 2SC3734 描述与应用 | 高频放大器和开关 PNP硅外延晶体管 小型模具 高速交换; 高增益带宽积; 2SC3734互补
NEC（日本电气）
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