| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 120 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| -120V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| silicon PNP epitaxial type high voltage； excellent hFE linearity； high hFE； low noise； complement to 2sc4117 描述与应用| 硅PNP外延型 高电压; HFE出色的线性度; HFE高; 噪音低; 补充2sc4117
Toshiba（东芝）
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