类型 | 描述 |
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封装 | SOT-89 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
集电极最大允许电流 | 1.2A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~400 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| transistor silicon PNP epitaxial type power amplifier application; power switching application; low saturation voltage; high speed switching time; complementary to 2sc4539 描述与应用| 晶体管硅外延型PNP 功率放大器中的应用; 电源开关应用; 低饱和电压; 高速开关时间; 互补2sc4539
Toshiba(东芝)
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