| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-523 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | -50V |
| 集电极最大允许电流 | -0.15A |
| 最小电流放大倍数 | 120 |
| 最大电流放大倍数 | 390 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −150mA/-0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 140MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 270~560 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| General Purpose Transistor Features 1) Excellent hFE linearity. 2) Complements the 2SC2412K /2SC4081 / 2SC4617 / 2SC1740S 描述与应用| 通用晶体管 特点 1）很棒HFE线性。 2）补充2SC2412K/2SC4081/2SC4617/2SC1740S
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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