集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 135~270 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -180mV/-0.18V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES • High DC current gain: hFE2 = 200 TYP. • High voltage: VCEO = −50 V • Can be automatically mounted 描述与应用| PNP硅外延晶体管 特点 •高直流电流增益:HFE2=200 TYP。 •高电压:VCEO=-50 V •可自动安装
NEC(日本电气)
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